三星、SK海力士推进移动内存堆叠封装技术量产，满足端侧AI需求

三星电子和SK海力士正致力于推动移动DRAM的堆叠封装技术，提升移动设备的内存带宽，以满足端侧AI应用对高性能内存的需求。由于传统的LPDDR移动DRAM尺寸较小，不适用于HBM内存采用的TSV连接方案，且HBM的高成本低良率特性不符合高产能移动DRAM的需求，两家公司因此采纳了垂直布线扇出（VFO）技术。VFO技术结合了FOWLP和DRAM堆叠技术，通过垂直连接缩短了电信号传输路径，提高了能效。SK海力士的VFO技术样品显示，导线长度大幅减少，能效提升4.9%，尽管散热量增加了1.4%，但封装厚度减少了27%。三星的LLW DRAM产品则提供低延迟和高达128GB/s的带宽，能耗极低。这两种采用VFO技术的产品被视为AI内存的下一个热点，三星计划在明年下半年量产LLW DRAM，而SK海力士的相关产品已处于量产准备阶段。